Bỏ qua điều hướng本文へ移動
Trí Lữ · EJU化学 · Hóa học

Đơn chất các-bon và silicon炭素(たんそ)とケイ素(けいそ)の単体(たんたい)

Kiến thức要点

  • 炭素(たんそ)族(ぞく)元素(げんそ)nguyên tố nhóm các-bon

    Các nguyên tố thuộc nhóm 14 trong bảng tuần hoàn gồm C, Si, Ge, Sn, Pb.

    周期(しゅうき)表(ひょう)第(だい)14族(ぞく)に属(ぞく)するC、Si、Ge、Sn、Pbなどの元素(げんそ)。

  • 同素(どうそ)体(たい)dạng thù hình

    Các dạng đơn chất khác nhau của cùng một nguyên tố.

    同一(どういつ)元素(げんそ)からなる異(こと)なる構造(こうぞう)や性質(せいしつ)を持(も)つ単体(たんたい)。

  • ダイヤモンドkim cương

    Dạng thù hình tinh thể cực cứng của cacbon, không dẫn điện.

    炭素(たんそ)の非常(ひじょう)に硬(かた)い結晶(けっしょう)性(せい)同素(どうそ)体(たい)で、電気(でんき)を導(みちび)かない。

  • 黒鉛(こくえん)than chì

    Dạng thù hình cấu trúc lớp của cacbon, mềm và dẫn điện.

    炭素(たんそ)の層状(そうじょう)構造(こうぞう)を持(も)つ同素(どうそ)体(たい)で、柔(やわ)らかく導電(どうでん)性(せい)がある。

  • グラファイトgraphite

    Tên gọi khác của than chì có cấu trúc tinh thể hình lục giác dẹt.

    六角(ろっかく)層状(そうじょう)構造(こうぞう)を持(も)つ黒鉛(こくえん)の別称(べっしょう)。

  • フラーレンfullerene

    Dạng thù hình của cacbon có phân tử dạng hình cầu như C60.

    C60に代表(だいひょう)されるサッカーボール状(じょう)の炭素(たんそ)同素(どうそ)体(たい)。

Cách làmしくみ

  1. 01
    ダイヤモンド、黒鉛(こくえん)、フラーレンの比較(ひかく)

    So sánh kim cương, than chì và fullerene

    Kim cương có liên kết cộng hóa trị tứ diện không dẫn điện. Than chì cấu trúc lớp dẫn điện. Fullerene C60 có dạng hình cầu rỗng.

    ダイヤモンドは導電(どうでん)性(せい)のない四面体(しめんたい)結合(けつごう)、黒鉛(こくえん)は層状(そうじょう)導電(どうでん)体(たい)、フラーレンC60は中空(ちゅうくう)球体(きゅうたい)構造(こうぞう)です。

  2. 02
    炭素(たんそ)の燃焼(ねんしょう)および還元(かんげん)反応(はんのう)

    Phản ứng cháy và tính khử của Cacbon

    Cacbon cháy trong O2 dư tạo CO2. Khi thiếu O2 hoặc phản ứng ở nhiệt độ cao với CO2, C bị oxy hóa thành khí CO.

    炭素(たんそ)はO2中(なか)で燃焼(ねんしょう)してCO2となり、高温(こうおん)下(か)でCO2と反応(はんのう)するとCOに還元(かんげん)されます。

  3. 03
    ケイ素(けいそ)単体(たんたい)の製造(せいぞう)

    Điều chế Silicon đơn chất

    Nung silic dioxit SiO2 với cacbon C trong lò điện ở nhiệt độ cao thu được silicon đơn chất Si và khí CO.

    珪砂(けいしゃ)SiO2を炭素(たんそ)Cと共(とも)に電気(でんき)炉(ろ)で還元(かんげん)加熱(かねつ)すると、ケイ素(けいそ)単体(たんたい)SiとCOガスが得(え)られます。

Công thức公式

C + O2 -> CO2

Cacbon cháy hoàn toàn trong oxi sinh ra cacbon dioxit.

炭素(たんそ)が酸素(さんそ)中(ちゅう)で完全(かんぜん)燃焼(ねんしょう)して二(に)酸化(さんか)炭素(たんそ)を生成(せいせい)する反応(はんのう)。

C + CO2 <=> 2CO

Cacbon khử cacbon dioxit ở nhiệt độ cao tạo thành cacbon monoxit.

高温(こうおん)下(か)で炭素(たんそ)が二(に)酸化(さんか)炭素(たんそ)を還元(かんげん)して一(いち)酸化(さんか)炭素(たんそ)を生成(せいせい)する平衡(へいこう)反応(はんのう)。

SiO2 + 2C -> Si + 2CO

Khử silic dioxit bằng cacbon điều chế silicon đơn chất.

炭素(たんそ)による二(に)酸化(さんか)ケイ素(けいそ)の還元(かんげん)反応(はんのう)によりケイ素(けいそ)単体(たんたい)を製造(せいぞう)する反応(はんのう)。

Si + O2 -> SiO2

Silicon phản ứng với oxi ở nhiệt độ cao tạo thành silic dioxit.

ケイ素(けいそ)が酸素(さんそ)と反応(はんのう)して二(に)酸化(さんか)ケイ素(けいそ)を生成(せいせい)する反応(はんのう)。

Ví dụ例題

Nung SiO2 với than củi C trong lò điện ở nhiệt độ cao thu được đơn chất X. Đốt đơn chất X trong O2 thu được oxit Y.

SiO2と炭素(たんそ)Cを電気(でんき)炉(ろ)で加熱(かねつ)還元(かんげん)して単体(たんたい)Xを得(え)た。単体(たんたい)XをO2中(なか)で燃焼(ねんしょう)させて酸化(さんか)物(ぶつ)Yを得(え)た。

  1. Viết phương trình nung SiO2 với C: SiO2 + 2C -> Si + 2CO, đơn chất X là Silicon Si.SiO2とCの還元(かんげん)反応(はんのう)式(しき) SiO2 + 2C -> Si + 2CO より、単体(たんたい)Xはケイ素(けいそ)Siです。
  2. Viết phương trình đốt Si trong O2: Si + O2 -> SiO2, oxit Y là SiO2.Siの燃焼(ねんしょう)反応(はんのう)式(しき) Si + O2 -> SiO2 より、酸化(さんか)物(ぶつ)YはSiO2です。
Đơn chất thu được là Si và oxit thu được là silic dioxit SiO2.得(え)られた単体(たんたい)はケイ素(けいそ)Si、酸化(さんか)物(ぶつ)は二(に)酸化(さんか)ケイ素(けいそ)SiO2です。

3 câu kiểm tra確認(かくにん)問題(もんだい) 3問(もん)

Đã trả lời 0 / 3

1. Phản ứng nào dùng để điều chế silicon đơn chất trong công nghiệp?工業(こうぎょう)的(てき)ケイ素(けいそ)単体(たんたい)の製造(せいぞう)に用(もち)いられる反応(はんのう)式(しき)はどれですか。

2. Dạng thù hình nào của cacbon có khả năng dẫn điện do cấu trúc lớp mang electron tự do?層状(そうじょう)構造(こうぞう)により自由(じゆう)電子(でんし)を持(も)ち電気(でんき)を導(みちび)く炭素(たんそ)の同素(どうそ)体(たい)はどれですか。

3. Phản ứng tạo thành cacbon monoxit từ cacbon và cacbon dioxit là phương trình nào?炭素(たんそ)と二(に)酸化(さんか)炭素(たんそ)から一(いち)酸化(さんか)炭素(たんそ)を生成(せいせい)する反応(はんのう)式(しき)はどれですか。

Nội dung Trí Lữ viết mới theo JASSO 2026 · nguồn sách riêng tư không được tái xuất bảnJASSO 2026に沿(そ)ったTrí Lữの新規(しんき)教材(きょうざい) · 非(ひ)公開(こうかい)書籍(しょせき)資料(しりょう)は転載(てんさい)していません

設定 · Cài đặt

Ngôn ngữ và nguồn言語(げんご)と出典(しゅってん)

Chọn ngôn ngữ giảng. Câu hỏi, lời giải và tiến độ giữ nguyên khi chuyển.学習(がくしゅう)言語(げんご)を選(えら)べます。切り替(きりか)えても解答(かいとう)と進捗(しんちょく)は保持(ほじ)されます。

Furigana tiếng Nhậtふりがな表示(ひょうじ)

JASSO 2026: CHEM.III.1.1. Bài Trí Lữ được viết mới sau khi đối chiếu 1 phân đoạn nguồn riêng tư. Scan, văn bản, câu hỏi và đáp án sách không được xuất bản.JASSO 2026:CHEM.III.1.1。非(ひ)公開(こうかい)資料(しりょう)1区分(くぶん)を照合(しょうごう)してTrí Lữが新規(しんき)執筆(しっぴつ)しました。書籍(しょせき)の画像(がぞう)・本文(ほんぶん)・問題(もんだい)・解答(かいとう)は公開(こうかい)していません。

Thuật ngữ và giải thích thêm用語・補足
Mục tiêu · 目標

Sau bài nàyこの課(か)の目標(もくひょう)

  1. Phân biệt cấu trúc và tính chất của các dạng thù hình của cacbon.炭素(たんそ)の同素(どうそ)体(たい)の構造(こうぞう)と性質(せいしつ)の違(ちが)いを理解(りかい)する。
  2. Viết phản ứng điều chế silicon từ SiO2 và phản ứng oxy hóa C, Si.SiO2からのケイ素(けいそ)製造(せいぞう)およびC、Siの酸化(さんか)反応(はんのう)式(しき)を記述(きじゅつ)できる。
Trực giác · イメージ

Cấu trúc tinh thể và tính dẫn điện của cacbon結晶(けっしょう)構造(こうぞう)と炭素(たんそ)の導電(どうでん)性(せい)

Kim cương có cấu trúc mạng không gian tứ diện cứng nhất, trong khi than chì có cấu trúc lớp với electron tự do nên dẫn điện tốt.

ダイヤモンドは極(きわ)めて硬(かた)い正(せい)四面体(しめんたい)網状(もうじょう)構造(こうぞう)を持(も)ち、黒鉛(こくえん)は層状(そうじょう)構造(こうぞう)で自由(じゆう)電子(でんし)を持(も)つため導電(どうでん)性(せい)を示(しめ)します。

Bẫy · 注意

Sửa sai trước khi thiよくある誤解(ごかい)

Nghĩ rằng kim cương dẫn điện giống như than chì.ダイヤモンドが黒鉛(こくえん)のように電気(でんき)を導(みちび)くと考(かんが)えること。

Sửa cách hiểu正(ただ)しい理解(りかい)Kim cương có tất cả electron hóa trị tham gia liên kết nên không dẫn điện.ダイヤモンドは全(すべ)ての価(あたい)電子(でんし)が結合(けつごう)に参加(さんか)しているため電気(でんき)を導(みちび)きません。

Cho rằng Si phản ứng với O2 cực kỳ mãnh liệt ở điều kiện thường.Siが常温(じょうおん)で極(きわ)めて激(はげ)しくO2と反応(はんのう)すると誤解(ごかい)すること。

Sửa cách hiểu正(ただ)しい理解(りかい)Si trơ ở điều kiện thường và chỉ phản ứng với O2 khi nung nóng ở nhiệt độ cao.Siは常温(じょうおん)で不活(ふかつ)性(せい)であり、高温(こうおん)加熱(かねつ)下(か)でのみO2と反応(はんのう)します。

Ghi nhớ · まとめ

Ba điều mang theo三(みっ)つの要点(ようてん)

  • Cacbon có nhiều thù hình: kim cương cứng không dẫn điện, than chì dẫn điện.炭素(たんそ)には絶縁(ぜつえん)体(たい)のダイヤモンドや導電(どうでん)性(せい)の黒鉛(こくえん)など多様(たよう)な同素(どうそ)体(たい)があります。
  • Si được điều chế bằng phản ứng SiO2 + 2C -> Si + 2CO.ケイ素(けいそ)は反応(はんのう) SiO2 + 2C -> Si + 2CO によって製造(せいぞう)されます。
  • C khử CO2 ở nhiệt độ cao sinh ra khí độc CO.炭素(たんそ)は高温(こうおん)でCO2を還元(かんげん)して有毒(ゆうどく)なCOを生成(せいせい)します。
EJU 2026 · CHEM.III.1.1

Các nguyên tố nhóm các-bon sở hữu các dạng thù hình nổi tiếng như kim cương, than chì và fullerene. Silicon được điều chế bằng cách khử SiO2 bằng cacbon ở nhiệt độ cao.

炭素(たんそ)族(ぞく)元素(げんそ)はダイヤモンド、黒鉛(こくえん)、フラーレンなどの有名(ゆうめい)な同素(どうそ)体(たい)を持(も)ちます。ケイ素(けいそ)は高温(こうおん)下(か)でSiO2を炭素(たんそ)で還元(かんげん)して製造(せいぞう)されます。

炭素(たんそ)とケイ素(けいそ)の単体(たんたい)
炭素族元素同素体ダイヤモンド黒鉛